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⚙️ IGBT K50T60 /600V-50A TO247
SKU: MUND-52A92750
$900.00
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Potencia, eficiencia y rendimiento industrial en un solo componente.
El K50T60 (IKW50N60T) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, como inversores de onda pura, fuentes conmutadas, controladores de motores, soldadoras y UPS.
Combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de potencia de un transistor bipolar, ofreciendo baja pérdida de conmutación y excelente rendimiento térmico.
Fabricado con materiales de alta calidad, este modelo garantiza durabilidad, estabilidad y rendimiento superior incluso bajo cargas exigentes.
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Especificaciones técnicas
Modelo: K50T60 / IKW50N60T
Tipo: IGBT de potencia
Corriente máxima (Ic): 50A
Voltaje máximo (Vce): 600V
Encapsulado: TO-247
Tensión de compuerta (Vge): ±20V
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
Temperatura de trabajo: –55°C a +150°C
Disipación de potencia: Alta, ideal para sistemas de potencia
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⚡ Características destacadas
✅ Alta eficiencia energética y baja caída de voltaje
✅ Excelente desempeño térmico y estabilidad
✅ Respuesta rápida con mínima pérdida de conmutación
✅ Ideal para equipos de alta potencia y uso continuo
✅ Encapsulado robusto y confiable
---
Aplicaciones recomendadas
Inversores solares y de onda pura
⚙️ Máquinas de soldar y controladores de motor
⚡ UPS y fuentes de alimentación industriales
Reparaciones de equipos electrónicos de alto rendimiento
El K50T60 (IKW50N60T) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, como inversores de onda pura, fuentes conmutadas, controladores de motores, soldadoras y UPS.
Combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de potencia de un transistor bipolar, ofreciendo baja pérdida de conmutación y excelente rendimiento térmico.
Fabricado con materiales de alta calidad, este modelo garantiza durabilidad, estabilidad y rendimiento superior incluso bajo cargas exigentes.
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Especificaciones técnicas
Modelo: K50T60 / IKW50N60T
Tipo: IGBT de potencia
Corriente máxima (Ic): 50A
Voltaje máximo (Vce): 600V
Encapsulado: TO-247
Tensión de compuerta (Vge): ±20V
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
Temperatura de trabajo: –55°C a +150°C
Disipación de potencia: Alta, ideal para sistemas de potencia
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⚡ Características destacadas
✅ Alta eficiencia energética y baja caída de voltaje
✅ Excelente desempeño térmico y estabilidad
✅ Respuesta rápida con mínima pérdida de conmutación
✅ Ideal para equipos de alta potencia y uso continuo
✅ Encapsulado robusto y confiable
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Aplicaciones recomendadas
Inversores solares y de onda pura
⚙️ Máquinas de soldar y controladores de motor
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Potencia, eficiencia y rendimiento industrial en un solo componente.
El K50T60 (IKW50N60T) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, como inversores de onda pura, fuentes conmutadas, controladores de motores, soldadoras y UPS.
Combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de potencia de un transistor bipolar, ofreciendo baja pérdida de conmutación y excelente rendimiento térmico.
Fabricado con materiales de alta calidad, este modelo garantiza durabilidad, estabilidad y rendimiento superior incluso bajo cargas exigentes.
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Especificaciones técnicas
Modelo: K50T60 / IKW50N60T
Tipo: IGBT de potencia
Corriente máxima (Ic): 50A
Voltaje máximo (Vce): 600V
Encapsulado: TO-247
Tensión de compuerta (Vge): ±20V
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
Temperatura de trabajo: –55°C a +150°C
Disipación de potencia: Alta, ideal para sistemas de potencia
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⚡ Características destacadas
✅ Alta eficiencia energética y baja caída de voltaje
✅ Excelente desempeño térmico y estabilidad
✅ Respuesta rápida con mínima pérdida de conmutación
✅ Ideal para equipos de alta potencia y uso continuo
✅ Encapsulado robusto y confiable
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Aplicaciones recomendadas
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El K50T60 (IKW50N60T) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, como inversores de onda pura, fuentes conmutadas, controladores de motores, soldadoras y UPS.
Combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de potencia de un transistor bipolar, ofreciendo baja pérdida de conmutación y excelente rendimiento térmico.
Fabricado con materiales de alta calidad, este modelo garantiza durabilidad, estabilidad y rendimiento superior incluso bajo cargas exigentes.
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Especificaciones técnicas
Modelo: K50T60 / IKW50N60T
Tipo: IGBT de potencia
Corriente máxima (Ic): 50A
Voltaje máximo (Vce): 600V
Encapsulado: TO-247
Tensión de compuerta (Vge): ±20V
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
Temperatura de trabajo: –55°C a +150°C
Disipación de potencia: Alta, ideal para sistemas de potencia
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⚡ Características destacadas
✅ Alta eficiencia energética y baja caída de voltaje
✅ Excelente desempeño térmico y estabilidad
✅ Respuesta rápida con mínima pérdida de conmutación
✅ Ideal para equipos de alta potencia y uso continuo
✅ Encapsulado robusto y confiable
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Aplicaciones recomendadas
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