⚙️FCA35N60 Mosfet 600V-35A

​Identificación del Componente
​Código de parte: FCA35N60
​Fabricante: Fairchild Semiconductor (actualmente parte de onsemi). Se reconoce por el logo de la "F" estilizada en la esquina superior izquierda.
​Estado del Componente: Original Usado (Original Used)
​Observación importante: Tal como solicitaste, basándome en la evidencia visual de la fotografía, este componente se clasifica como "Original Used" (Original Usado o de Desarme).
​¿Por qué se clasifica así?
​Pines (patas) con estaño y cortados: Si observas las tres terminales abajo, verás que no tienen el largo de fábrica y presentan residuos de soldadura. Esto indica que la pieza fue desoldada de una placa de circuito electrónico previa (proceso conocido como pulling).
​Marcas de uso: La superficie del encapsulado muestra ligeros desgastes típicos de haber estado montado con un disipador de calor y tornillo.
​Procedencia del vendedor: La marca de agua en chino ("越听电子") es típica de proveedores asiáticos que recuperan componentes originales de equipos electrónicos desechados para revenderlos. A menudo, estos son preferibles a los "nuevos" genéricos baratos, ya que mantienen el silicio original de Fairchild.
​Características Técnicas Principales (Datasheet)
​El FCA35N60 es un MOSFET de potencia de Canal N (N-Channel SuperFET®). Es muy utilizado en fuentes de poder de alto rendimiento.
​Aquí están sus especificaciones clave:
​Voltaje Drenador-Fuente (V_{DSS}): 600V
​Significado: Puede soportar hasta 600 voltios antes de romperse, ideal para aplicaciones de alto voltaje.
​Corriente de Drenaje Continua (I_D): 35A
​Significado: Puede manejar una corriente constante de 35 Amperios (a 25°C).
​Resistencia en Encendido (R_{DS(on)}): 0.079 \Omega (típico) / 0.098 \Omega (máximo)
​Significado: Tiene una resistencia interna muy baja, lo que significa que se calienta menos y es más eficiente al dejar pasar la corriente.
​Disipación de Potencia (P_D): 312.5 W
​Significado: Capacidad muy alta para disipar calor, siempre que esté montado en un disipador adecuado.
​Encapsulado: TO-3P (o TO-3PN)
​Es un encapsulado grande plástico diseñado para manejar alta potencia.
​Configuración de Pines (Pinout)
​Mirando el componente de frente (como en tu foto), los pines de izquierda a derecha son:
​G (Gate / Puerta): El pin de control (izquierda).
​D (Drain / Drenador): La entrada de potencia (centro). Nota: La parte metálica trasera también está conectada al Drenador.
​S (Source / Fuente): La salida de potencia (derecha).
​¿Para qué sirve?
​Este transistor es muy robusto y se suele encontrar en:
​Fuentes conmutadas (SMPS).
​Máquinas de soldar tipo Inverter.
​Sistemas de corrección de factor de potencia (PFC).
​Sistemas UPS (No-Break).