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Driver Aislado NSI6602A-DSWR

SKU: MUND-61BE6C93

$700.00
En Stock
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Driver Aislado NSI6602A-DSWR – Controlador de Compuerta de Doble Canal

El NSI6602A-DSWR es un driver aislado de compuerta (Gate Driver) de alto rendimiento, diseñado para controlar MOSFET, IGBT, SiC o GaN en aplicaciones de potencia exigentes como inversores, UPS, fuentes conmutadas, controladores de motor y sistemas de energía.

Gracias a su aislamiento galvánico, su alta velocidad y su capacidad de entregar hasta 6A de corriente de salida, garantiza una conmutación segura, eficiente y estable en cualquier sistema electrónico avanzado.


---

⭐ Características principales

Driver aislado de doble canal (Half-Bridge o High-Side / Low-Side)

Corriente de salida:

4A de fuente (turn-on)

6A de hundimiento (turn-off)


Voltaje de alimentación lado lógico: 2.7V – 5.5V

Voltaje de salida lado potencia: hasta 25–28V

Aislamiento eléctrico incorporado para mayor seguridad

Tiempo de propagación ultra bajo: ~25ns

Alta velocidad de conmutación: hasta 2 MHz

Encapsulado: SOP-8 (DSWR)

Compatibilidad: MOSFET, IGBT, SiC, GaN



---

⚙️ Aplicaciones

Inversores solares

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Drivers para motores

Fuentes conmutadas

Sistemas de baterías y BMS

Equipos de energía industrial
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Driver Aislado NSI6602A-DSWR – Controlador de Compuerta de Doble Canal

El NSI6602A-DSWR es un driver aislado de compuerta (Gate Driver) de alto rendimiento, diseñado para controlar MOSFET, IGBT, SiC o GaN en aplicaciones de potencia exigentes como inversores, UPS, fuentes conmutadas, controladores de motor y sistemas de energía.

Gracias a su aislamiento galvánico, su alta velocidad y su capacidad de entregar hasta 6A de corriente de salida, garantiza una conmutación segura, eficiente y estable en cualquier sistema electrónico avanzado.


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⭐ Características principales

Driver aislado de doble canal (Half-Bridge o High-Side / Low-Side)

Corriente de salida:

4A de fuente (turn-on)

6A de hundimiento (turn-off)


Voltaje de alimentación lado lógico: 2.7V – 5.5V

Voltaje de salida lado potencia: hasta 25–28V

Aislamiento eléctrico incorporado para mayor seguridad

Tiempo de propagación ultra bajo: ~25ns

Alta velocidad de conmutación: hasta 2 MHz

Encapsulado: SOP-8 (DSWR)

Compatibilidad: MOSFET, IGBT, SiC, GaN



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